作者簡介：
朱晶，研究員，北京國際工程咨詢有限公司專家咨詢師，主要研究方向為集成電路、新一代信息技術、技術經濟學。（此文將在2024年7月《中國集成電路》雜志上刊發(fā)）
摘要
集成電路產業(yè)作為數(shù)字經濟時代的基礎底座技術，既是大國競爭的戰(zhàn)略焦點，也是我國加快發(fā)展新質生產力的關鍵所在。然而面對外部挑戰(zhàn)，我國集成電路產業(yè)出現(xiàn)一定程度的產業(yè)內卷化傾向。規(guī)避產業(yè)內卷，是中國集成電路產業(yè)高質量發(fā)展必須正視和研究解決的重大問題。
引言
當前，中國已進入創(chuàng)新驅動發(fā)展的關鍵時期，新一輪科技革命和產業(yè)變革正在加速演進，集成電路產業(yè)面臨的內外部環(huán)境日趨復雜，盡快突破集成電路領域的“卡脖子”關鍵核心技術，加強基礎研究等原始創(chuàng)新能力的提升，這是關系我國發(fā)展全局的重大問題，也是支撐新質生產力發(fā)展的關鍵。然而當前我國集成電路產業(yè)仍面臨著技術的低效創(chuàng)新大量存在、以及低水平投入過密化、產品盤踞中低端等“內卷化”的局面；為此，如果不主動破解這種造成大量低效競爭的產業(yè)內卷，將嚴重影響我國集成電路產業(yè)打贏關鍵核心技術攻堅戰(zhàn)、走向高質量發(fā)展之路。
產業(yè)“內卷化”的定義與內涵
最早，“內卷”作為一種現(xiàn)象，國外學者如德國的康德，美國的戈登威澤、吉爾茨等分別從哲學、人類學、經濟學等層面給出了不同解讀。另外，國內有關“內卷化”的研究被眾多學者廣泛集中在精準扶貧、社區(qū)治理、農民工交往、制度變遷、教育發(fā)展等社會生活領域[1][2]?？傊?，不同領域的學者將“內卷化”發(fā)展作為一個應用范圍不斷擴展的解釋性工具，用來闡釋廣泛存在的“沒有發(fā)展的增長”等現(xiàn)象。
其中，胡振雄[3]首次對于技術創(chuàng)新領域可能存在的“內卷化”現(xiàn)象進行闡述，其認為：①技術體系“內卷化”的定義是指由于自身資源稟賦以及創(chuàng)新能力的限制，且受外部壁壘的阻隔和排擠，難以實現(xiàn)對外擴張；②技術創(chuàng)新“內卷化”的內涵是指大量創(chuàng)新資源被迫投入到向內發(fā)展，持續(xù)進行有數(shù)量無質量的低水平再生產導致的一個無發(fā)展或少量發(fā)展的過程。
近年來，我國新能源、新一代信息技術等戰(zhàn)略性新興產業(yè)也出現(xiàn)了“內卷化”的現(xiàn)象。根據(jù)上述“內卷化”的相關研究，我們基本上可以給出“內卷化”的基本定義：即指產業(yè)內部為爭奪有限資源而最終導致投入與產出嚴重不成比例，難以使產業(yè)發(fā)展破除壁壘、演進到更高形態(tài)，而是低水平的重復。
毫無疑問，“內卷化”是無序競爭，而集成電路產業(yè)是一個產業(yè)鏈復雜，對基礎創(chuàng)新要求高、周期長、風險大的產業(yè)；所以，“內卷化”則會導致企業(yè)陷入價格戰(zhàn)泥潭，缺乏賴以支持研發(fā)投入的足夠利潤，只能進行低水平的技術創(chuàng)新，而屏蔽或放棄具有變革性的技術創(chuàng)新特別是長周期的創(chuàng)新，使得產業(yè)總體盈利狀況不佳，全要素生產率不升反降，抑制真正的高質量發(fā)展。
我國集成電路產業(yè)發(fā)展中的“內卷化”研究
應該看到，隨著我國集成電路產業(yè)發(fā)展進入換擋提質階段，產業(yè)“內卷化”的問題日益突出。
2.1 我國集成電路產業(yè)發(fā)展中“內卷化”情況
當前，我國在集成電路產業(yè)鏈的幾乎所有環(huán)節(jié)都呈現(xiàn)出不同程度的內卷。盡管各細分領域的產業(yè)特點不盡相同，但“內卷化”比較共性的特征包括產業(yè)發(fā)展“有量無質”，基礎創(chuàng)新“動力不足”以及產品供給“結構失衡”等等。
2.1.1設計業(yè)內卷情況
集成電路設計業(yè)主要特點是智力密集、輕資產結構、產品線覆蓋范圍廣，這些產業(yè)特點導致設計業(yè)的創(chuàng)業(yè)門檻相對較低，技術創(chuàng)新擴散也相對容易，因此成為目前“內卷化”程度最高的產業(yè)環(huán)節(jié)。設計業(yè)“內卷化”主要表現(xiàn)在：
一是競爭主體規(guī)模小。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會統(tǒng)計，截至目前，國內涉及的集成電路設計企業(yè)數(shù)量為3451家，超過55%的企業(yè)銷售收入不足1000萬元，超過80%的企業(yè)是人數(shù)少于100人的小微企業(yè)。
二是低端化競爭嚴重。如表1所示，根據(jù)2023年上半年已經上市的108家設計企業(yè)的半年報數(shù)據(jù)，108家企業(yè)中虧損的企業(yè)數(shù)量高達42家，2022年設計領域全部上市企業(yè)的總營收和總凈利潤分別是美國上市芯片企業(yè)（設計+IDM企業(yè)）的12.7%和5.3%，平均利潤率相差近3倍。低利潤率的原因在于大量設計企業(yè)在產品端缺乏差異化創(chuàng)新，只能進行價格戰(zhàn)，同時企業(yè)數(shù)量短時間內大量擴張引發(fā)人才和供應鏈資源的激烈“爭奪”，造成成本的快速上漲。
三是企業(yè)抗風險能力差。我國設計企業(yè)大量涌現(xiàn)于2020年前后，這時正值產業(yè)處于國產替代化、市場需求高，以及科創(chuàng)板上市預期高，加上資本市場關注度高的“三高”狀態(tài)。但隨著2023年全球半導體行業(yè)進入下行周期，大量企業(yè)缺乏對市場周期性變化的應對經驗，造成高庫存高負債引發(fā)的高風險。
2.1.2制造業(yè)內卷情況
集成電路制造業(yè)的主要特點是資本和技術密集、重資產結構。以28納米為分界點，28納米以下的先進工藝競爭主要由技術創(chuàng)新和資本投入驅動，而28納米及以上的成熟工藝競爭更多由成本控制和運營能力驅動。制造業(yè)相比其他產業(yè)環(huán)節(jié)對資本的需求更高，這導致制造業(yè)內卷是對資金、人才等資源高度內耗的競爭，但近年來由于外部地緣政治導致技術升級受阻、國產替代需求引發(fā)地方政府競爭等多種因素影響，制造業(yè)也出現(xiàn)了一定程度的內卷。主要表現(xiàn)在：
一是我國集成電路成熟工藝擴產速度和擴產主體數(shù)量全球第一。根據(jù)美國市場機構Gartner的數(shù)據(jù)，2023-2027年韓國、日本和美國三國12寸成熟工藝代工產能年均復合增長率均為負值或零增長，幾乎放棄了在成熟工藝產能上的投入，而中國大陸則是增長最快（年均復合增長率超過8%）的區(qū)域，同時也是擴產主體最多（超過25家）的區(qū)域。
二是我國集成電路產能擴充集中在90納米-28納米工藝節(jié)點。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2023-2027年我國90納米-28納米成熟工藝代工產能在全部成熟工藝代工產能中擴產規(guī)模最快，達到11.1%（見表2）。另外根據(jù)美國“集微咨詢”數(shù)據(jù)，目前我國已經建成和在建的規(guī)劃產能基本以90納米-28納米成熟工藝為主。2027年，90納米-28納米成熟工藝產能在我國總產能中占比將達到57.9%。
三是我國集成電路成熟工藝平臺競爭力依然不強。盡管我國大量制造企業(yè)集中在90納米-28納米的產能擴充，但是整體在工藝平臺上的競爭力依然不足。例如28納米嵌入式閃存（eFlash）工藝和新一代嵌入式磁性隨機存取存儲器/嵌入式電阻式存儲器（eMRAM/eRRAM）工藝的能力儲備不足，車規(guī)級工藝無法滿足國內智駕芯片實際需求，高壓雙極型-互補金屬氧化半導體-雙擴散金屬氧化半導體工藝（BCD）相比韓國東部高科（DB Hitek）、中國臺灣的臺積電而言仍不是國內設計企業(yè)的首選。
2.1.3支撐業(yè)內卷情況
集成電路支撐業(yè)主要包括半導體設備、材料和零部件產業(yè)，屬于集成電路制造、設計和封裝三大主業(yè)的上游供應鏈環(huán)節(jié)，主要特點是尖端技術密集、多學科交叉融合、產品碎片化特征明顯、研發(fā)周期長等。這些產業(yè)特點其實不容易引起產業(yè)“內卷化”，尤其是高度碎片化產品結構和尖端技術的稀缺會在一定程度上去“內卷化”。但隨著我國集成電路產業(yè)鏈供應鏈安全穩(wěn)定體系建設的推進，國產替代化將越來越吸引著更多企業(yè)進入到這個領域，也會在部分領域形成“內卷化”的局面。主要體現(xiàn)在：
一是結構性“內卷化”為主。集成電路支撐業(yè)的“內卷化”集中在熱點品類上，例如硅片長晶設備；半導體前道設備中的濕法、薄膜、化學機械拋光（CMP）設備及耗材、熱處理、量檢測設備、后道設備中的ATE、劃片機等；半導體材料里的大硅片、特氣和化學品、陶瓷基板等；零部件和子系統(tǒng)中的AMHS（自動化物料搬運系統(tǒng)）、閥門、泵、硅結構件、EFEM（半導體設備前端模塊）、石英件等。幾乎每個領域國內企業(yè)數(shù)量都超過10家，最多的領域高達四五十家。而在部分技術難度較高，國內研發(fā)資源有限，或者國內龍頭企業(yè)優(yōu)勢已經非常明顯的領域，例如涂膠顯影設備、離子注入設備、PVD（物理氣相沉積設備）、靜電吸盤等領域，則鮮少看到“內卷化”的發(fā)生。
二是“大廠”強主導的格局加速“內卷化”。由于半導體設備、材料和零部件子系統(tǒng)企業(yè)高度依賴下游制造、封裝、集成設計制造（IDM）企業(yè)等“大廠”資源，而“大廠”出于供應鏈安全和自身業(yè)務考慮，對供應鏈企業(yè)有排他性要求，或產品上有一定的特殊性，導致無法滿足行業(yè)通用需求。這就造成每個“大廠”都致力于培育自身的供應鏈體系，而供應鏈企業(yè)也很難將市場規(guī)模做大，變相地加速了行業(yè)整體的“內卷化”。
2.1.4化合物半導體業(yè)內卷情況
化合物半導體業(yè)，尤其是碳化硅（SiC）行業(yè)，是近年來發(fā)展最為快速的非硅基材料行業(yè)。主要特點是IDM模式為主，相比硅基芯片的制造，SiC制造投資規(guī)模不大、投入產出比高、折舊壓力不大，加上新能源汽車、光伏等領域的蓬勃發(fā)展為碳化硅行業(yè)注入了強大的動力，因此據(jù)半導體綜研統(tǒng)計數(shù)據(jù)，這個領域快速吸引了全球超過百家企業(yè)（107家）布局，其中大陸地區(qū)碳化硅器件企業(yè)數(shù)量達到70家，屬于高度“內卷化”的細分領域。主要體現(xiàn)在：
一是產業(yè)鏈全面“內卷化”。碳化硅產業(yè)鏈不復雜，比較核心的是襯底、外延、器件模組以及針對碳化硅的一些專用設備和材料。目前國內在碳化硅全產業(yè)鏈都出現(xiàn)了高度內卷的狀態(tài)，據(jù)半導體綜研統(tǒng)計數(shù)據(jù)，相對技術門檻較高的襯底和SiC MOSFET領域也都集中了40-50家廠商。
二是低端產品同質化嚴重。碳化硅產業(yè)鏈相比集成電路產業(yè)鏈復雜度較低，產品更加標準化，因此大量企業(yè)集聚很容易導致中低端產品的同質化，當前國內在6寸SiC襯底、外延以及SiC SBD領域都因為充分競爭而大打價格戰(zhàn)。例如，根據(jù)集微咨詢數(shù)據(jù)，2023年開始由于國內6寸SiC襯底產能大量釋放，國內一線供應商已將碳化硅襯底價格下調近30%。而國際6寸碳化硅襯底的價格一直保持穩(wěn)定，國際供應商的報價維持在750~800美元。
2.2 集成電路產業(yè)“內卷化”的原因分析
造成我國集成電路產業(yè)“內卷化”的原因涵蓋國際地緣政治變化、資本市場推動、地方政府競爭等多方面原因。
一是資本加速擴張導致的同質化競爭。國際地緣政治變化，加速了國產化替代進程；同時，疊加科創(chuàng)板對半導體等硬科技的青睞有加，使得從2019年起資本加速擴張進入半導體產業(yè)。根據(jù)云岫資本提供數(shù)據(jù)，2021年半導體產業(yè)一級市場股權投資總額從2019年的約300億元直接飆升5倍達到1500億元，并且2021年融資規(guī)模超過5億元的企業(yè)超過50家。芯片設計公司投入成本較小，回報周期較短，且市場空間大，在行業(yè)高速發(fā)展期天然地受資本歡迎，2020年設計企業(yè)被投數(shù)量占全部半導體投資數(shù)量的接近70%。
二是地方政府各自為政引發(fā)的重復建設。在我國集成電路產業(yè)發(fā)展的大潮中，地方政府扮演了重要的角色，尤其是近年來集成電路的國家戰(zhàn)略屬性不斷增強，自然成為地方政府布局的重點。尤其是集成電路制造、封裝、化合物半導體等重資產行業(yè)，與地方政府對“重投資”的偏好高度契合，此外由于考核導向、職責要求和思維慣性等原因，加之缺乏專業(yè)性的技術知識，催化了地方政府盲目跟風半導體產業(yè)的沖動。隨著越來越多的地方政府設立引導基金進入半導體行業(yè)，出臺專項招商引資政策，地方政府各自為政帶來的內卷化自然無法避免[4]。
三是技術因素決定的被動內卷。迄今為止，我國集成電路核心技術仍受制于人，因此很多企業(yè)不得不戰(zhàn)略性放棄需要長期投入的技術創(chuàng)新，轉而開始橫向競爭，而在中低端技術領域搶占盡可能大的市場份額，成為企業(yè)謀求生存發(fā)展的重要策略。這種放棄“向上逐頂”轉而“向下逐底”的競爭策略，加速了全行業(yè)的被動內卷。
四是產業(yè)并購整合不力。并購重組是推動集成電路產業(yè)提高集中度、去“內卷化”較為常見的方式之一。我國臺灣的存儲器產業(yè)、美國電子設計自動化 （EDA）、圖形處理器（GPU）產業(yè)都曾高度“內卷”，但由于有良好健全的并購機制，逐步演進迭代形成了當前相對集中的產業(yè)格局。隨著資本市場逐步回歸冷靜，當前我國集成電路產業(yè)有望迎來一波并購機遇，但相較國外成熟、活躍的并購市場，我國的企業(yè)家、資本市場、中介服務機構、相關監(jiān)管機構對于產業(yè)并購的理解和實踐仍需長期的學習和提高，產業(yè)并購機制不健全、缺乏專業(yè)規(guī)范的中介機構、企業(yè)文化沖突、政府干預過多等多方面原因，使得并購整合尚未能成為集成電路產業(yè)去“內卷化”的主要手段。
我國集成電路產業(yè)“內卷化”的影響分析
集成電路產業(yè)作為數(shù)字經濟時代的基礎底座技術，既是大國競爭的戰(zhàn)略焦點，也是我國加快實現(xiàn)新時期經濟“高質量發(fā)展”的核心所在。當前我國集成電路產業(yè)正處于技術能級亟需“向上突破”的關鍵期，產業(yè)“內卷化”帶來的大量企業(yè)利潤長期穩(wěn)步不前或下降、產業(yè)要素內耗嚴重、資金投入效率低下等影響，將成為我國集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的主要障礙。
一是人才資源內耗嚴重。產業(yè)“內卷化”勢必會帶來嚴重的人才內耗，尤其是對于制造業(yè)、設備材料業(yè)這些本就人才總量嚴重不足，高端人才捉襟見肘的領域傷害更大。近年來國內的“建廠潮”，導致制造業(yè)人員離職率居高不下，如表5所示，近4年制造業(yè)人員離職率持續(xù)在15%以上，是臺積電人才流失率的2-3倍。而國內制造業(yè)龍頭中芯國際在2020年、2021年兩個“建廠”大年，人員離職率相比國內制造業(yè)平均水平高出5個百分點。
二是資金投入效率低下。產業(yè)“內卷化”帶來全行業(yè)資金投入效率下降。對于企業(yè)而言，為了“卷”而長期將資金投入到無需大量創(chuàng)新的成熟技術代上，無疑強化了技術低水平重復再生產的自我鎖定發(fā)展模式，降低了資金投入的直接效益。對于產業(yè)而言，大量盤踞在中低端的企業(yè)扎堆進入，造成了資金的分散與極大浪費。對于政府而言，部分地區(qū)秉持“你有我也有，你給我也給”原則盲目攀比優(yōu)惠政策，造成嚴重財政負擔的同時進行低水平重復建設[5]。更有部分地區(qū)在盲目投資沖動下，出現(xiàn)“百億、千億級半導體大項目停擺”現(xiàn)象，前期的巨額投入付之東流。
三是陷入中等技術陷阱。所謂“中等技術陷阱”指的是核心技術受制于人，一旦技術轉移的紅利被收割完畢，還未實現(xiàn)技術領域的技術水平提升，又不能成功從應用性技術轉型為原創(chuàng)性技術，那么其技術水平就會進入長期相對停滯的狀態(tài)。鑒此，如果產業(yè)持續(xù)“內卷化”，則會使低水平技術“吞噬”高水平技術的發(fā)展空間，不僅帶來高技術投資擠出效應，也會加劇我國集成電路技術高端化躍升的難度，陷入“中等技術陷阱”。
四是企業(yè)綜合競爭力退化。在高度“內卷化”競爭中長大的“卷王”企業(yè)，更加擅長的是在存量市場里的博弈、拼成本控制、拼效率和服務，但缺乏對技術前瞻性的判斷，對增量市場的開拓，以及富有遠見的戰(zhàn)略能力。長期被“內卷化”的發(fā)展邏輯綁架，會使企業(yè)產生更強的路徑依賴，不能長足有效地推進自主創(chuàng)新能力的培育和積累，沒有能力躍遷至更高層次的發(fā)展形態(tài)。當前我國集成電路領域鮮少有具備國際競爭力的跨國企業(yè)，全球市場不等于中國市場的自然延展，如果“內卷化”的發(fā)展態(tài)勢不作出改變，在中國市場“卷”出來的企業(yè)，未必能在全球市場上獲得認可。
五是產業(yè)發(fā)展“浮躁化”。當前我國集成電路產業(yè)面臨的環(huán)境仍是戰(zhàn)略機遇和風險挑戰(zhàn)并存，一旦滑向過度競爭和“內卷化”，相伴而生的更多是對“十年磨一劍”的技術攻關沒有耐心、過于片面地追求短平快、心態(tài)浮躁等問題，很多長期承擔國家重點攻關和基礎研究的機構、企業(yè)和人才，也被內卷引發(fā)的功利化傾向影響，無法支撐我國集成電路產業(yè)真正走上創(chuàng)新與高水平發(fā)展的嶄新道路。
我國集成電路產業(yè)去“內卷化”的應對建議
“內卷化”已經成為我國集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的主要障礙，破解產業(yè)“內卷化”，需要國家抓“內核”、地方破“內耗”、企業(yè)強“內功”。主要應對建議包括：
一是切實加大對集成電路企業(yè)高質量基礎研究的支持。當前我國集成電路發(fā)展環(huán)境正在快速變化，同時產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展階段向基礎創(chuàng)新延伸，兩者的變化都對基礎研究提出了更多需求，需要在政策層面主動應變，適當提高對企業(yè)開展基礎研究創(chuàng)新的支持力度，始終將創(chuàng)新的質量放在第一位，有效發(fā)揮財政資金的引導作用，以基礎研究能力的提升破除集成電路產業(yè)的“內卷化”，避免將有限的資金用于低水平技術的數(shù)量擴張。
二是憑借我國的制度優(yōu)勢，加強對地方項目投資的有序引導。引導地方政府進行集成電路產業(yè)差異化布局，加快建立產業(yè)投資監(jiān)控機制以遏制地方政府投資沖動，加快探索建立健全決策失誤責任追究制度，加大針對搞重復建設、虛假項目等違規(guī)招商行為的責任追究和懲戒力度。對半導體設備、材料和零部件等供應鏈環(huán)節(jié)的項目啟動“窗口”指導，遏制一窩蜂盲目上馬項目的投資沖動。
三是完善健全符合集成電路產業(yè)特點的并購機制。建議抓緊研究促進集成電路企業(yè)兼并重組的指導意見，完善集成電路企業(yè)兼并重組的相關稅收政策、跨境換股相關政策等，推進完善集成電路企業(yè)資產評估指引。針對集成電路標的估值較高，收購方資金不足的問題，研究擴大并購貸款的覆蓋面、推出并購重組專項政府補貼。加強對專業(yè)的、一流的并購機構的培育，深化對集成電路產業(yè)并購規(guī)律的理解，進一步助力集成電路企業(yè)按照市場化原則進行重組并購。
四是加快實施更具針對性的知識產權保護。引導集成電路企業(yè)增強知識產權運用和知識產權保護意識，根據(jù)競爭需要構建關鍵核心技術的“專利池”，加大對商業(yè)秘密、技術秘密的保護力度，優(yōu)化企業(yè)知識產權布局，加強知識產權儲備。
參考文獻：
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